一种三维功率VDMOS器件及其集成方法

一、成果基本信息

二、成果简介

    本发明以解决现有技术的VDMOS器件采用平面集成工艺存在的器件面积随着电流容量增大而增大，严重影响功率系统的集成度，同时信号延迟时间及互连线功耗比重也将越来越大等技术问题。本发明的技术方案是设计一种三维功率VDMOS器件及其集成方法，它包括功率单元和芯片层，所述芯片层有二个以上，每个芯片层上均匀分布有二个以上的功率单元，每个功率单元外围设置有独立的终端，每个功率单元外围设置有层间导电互连的TSV通孔，各个芯片层堆叠在一起形成三维功率VDMOS器件。所述功率单元外围设置有散热的TSV通孔。每个芯片层之间有绝缘介质层，所述绝缘介质层为二氧化硅。各个芯片层间的空隙处有填充胶。所述的各个功率单元外围都设置有独立的终端，所述终端为场限环结构。TSV通孔上方设有凸点。所述三维功率VDMOS器件采用双层金属布线结构。

特别声明

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